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RCJ081N20

Nch 200V 8.0A Power MOSFET

文件:1.36621 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RCJ081N20

丝印:D2PAK;Package:TO-263;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:298.9 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

RCJ081N20

10V驱动型 Nch 功率MOSFET

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 • Low on-resistance.\n• Fast switching speed.\n• Drive circuits can be simple.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• 100% Avalanche tested;

ROHM

罗姆

RCX081N20

Nch 200V 8.0A Power MOSFET

文件:456.05 Kbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RCX081N20

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:295.98 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • 封装:

    LPTS (D2PAK)

  • 包装数量:

    1000

  • 最小独立包装数量:

    1000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    TO-263 (D2PAK)

  • JEITA Package:

    SC-83

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    200

  • Drain Current ID[A]:

    8

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.47

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.47

  • Total gate charge Qg[nC]:

    9

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    40

  • Drive Voltage[V]:

    10

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    10.1x13.1 (t=4.7)

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更多RCJ081N20供应商 更新时间2026-1-17 10:29:00