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RCD051N20

Nch 200V 5.0A Power MOSFET

文件:788.99 Kbytes 页数:14 Pages

ROHM

罗姆

RCD051N20

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.42349 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

RCD051N20

10V驱动型 Nch 功率MOSFET

• Low on-resistance.\n• Fast switching speed.\n• Drive circuits can be simple.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• 100% Avalanche tested;

ROHM

罗姆

RCDAT-6000-90

MINI
SMD

RCH50S470R0JS06

vishay
NA

VishayVishay Siliconix

威世

上传:深圳市德逸创科技有限公司

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    CPT3

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Code:

    TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package:

    SC-63

  • Package Size[mm]:

    6.5x9.5 (t=2.3)

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    200

  • Drain Current ID[A]:

    5.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.47

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.47

  • Total gate charge Qg[nC]:

    9.0

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    20.0

  • Drive Voltage[V]:

    10.0

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

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ROHM/罗姆
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更多RCD051N20供应商 更新时间2025-10-14 10:02:00