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BAP50-03	文件：712.29 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPINDIODES GENERALPURPOSEPINDIODES FEATURES •Lowdiodecapacitance	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BAP50-03	文件：318.99 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalGeneralPurposePiNDiode FEATURES •LowDiodeCapacitance •LowDiodeForwardResistance	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAP50-03	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAP50-03	文件：599.03 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSEPINDIODE SOD-323Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BAP50-03	文件：58.5 Kbytes Page：7 Pages	GeneralpurposePINdiode	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP50-03	文件：71.85 Kbytes Page：8 Pages	GeneralpurposePINdiode	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC

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