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RC0402JR-07430RL	文件：899.04 Kbytes Page：12 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) High Efficiency/Linearity Amplifier The MMA25312B is a high efficiency InGaP HBT amplifier designed for use in 2400 MHz ISM applications, WLAN (802.11g), WiMAX (802.16e) and wireless broadband mesh networks. It is suitable for applications 文件：899.04 Kbytes 页数：12 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
RC0603FR-0710KL	文件：0 bytes Page：0 Pages	0603	国巨上传：深圳市卓越微芯电子有限公司	国巨
RC0603FR-0712KL	文件：0 bytes Page：0 Pages	0603SMD	YAGEO 国巨上传：深圳市金柏一科技有限公司	YAGEO
RC0603FR-071K8L	文件：0 bytes Page：0 Pages	Reel	YAGEO 国巨上传：北京京北通宇电子元件有限公司	YAGEO

技术参数

Size：
0402 (1005)
Packing：
Paper tape
Packing Description：
07 inch Dia. reel
Resistance：
430
TCR：
Based on Spec
Tolerance：
±5%
Power(W)：
1/16 (0.063)

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