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D12K100	文件：276.93 Kbytes Page：3 Pages	Terminalssuitableforsolderingorboltconnection	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE
D12K100E	文件：276.93 Kbytes Page：3 Pages	Terminalssuitableforsolderingorboltconnection	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE
PMD12K100	文件：294.37 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=100V(Min) ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=4A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseinaudiofrequencypoweramplif	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PMD12K100	文件：214.81 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtionPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Collector-EmitterBreakdownVoltage V(BR)CEO=100V(Min) ·ComplementtotypePMD13K100 APPLICATIONS ·DesignedforgeneralpurposeamplifierandDCmotorcontrolapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PMD12K100	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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