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0909	文件：388.09 Kbytes Page：2 Pages	StripBlockforSnap-inMountingwithupto7IECApplianceOutletsF	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团	SCHURTER
0909	文件：279.18 Kbytes Page：3 Pages	StripBlockforSnap-inMountingwithupto7IECApplianceOutletsF	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团	SCHURTER
0909	文件：562.02 Kbytes Page：2 Pages	CCDcameras	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
0909	文件：298 Kbytes Page：3 Pages	StripBlockforSnap-inMountingwithupto7IECApplianceOutletsF	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团	SCHURTER
0909	文件：288.16 Kbytes Page：3 Pages	StripBlockforSnap-inMountingwithupto7IECApplianceOutletsF	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团	SCHURTER
0909	文件：288.15 Kbytes Page：3 Pages	StripBlockforSnap-inMountingwithupto7IECApplianceOutletsF	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团	SCHURTER
0909ND	文件：1.56275 Mbytes Page：11 Pages	DualN-channelOptiMOS??MOSFET Features ·DualN-channelOptiMOS™MOSFET ·Enhancementmode ·Logiclevel(4.5Vrated) ·Avalancherated ·100Lead-free;RoHScompliant ·Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
0909NS	文件：1.23512 Mbytes Page：11 Pages	n-ChannelPowerMOSFET 1.Description OptiMOS™30VproductsareclassleadingpowerMOSFETsforhighestpower densityandenergyefficientsolutions.Ultralowgate-andoutputchargestogether withlowestonstateresistanceinsmallfootprintpackagesmakeOptiMOS™30V thebestchoiceforthedemandingrequirements	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
APLT0909-RT	文件：80.81 Kbytes Page：1 Pages	PLLModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
BSC0909NS	文件：1.52818 Mbytes Page：12 Pages	n-ChannelPowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSZ0909ND	文件：1.56275 Mbytes Page：11 Pages	DualN-channelOptiMOS??MOSFET Features ·DualN-channelOptiMOS™MOSFET ·Enhancementmode ·Logiclevel(4.5Vrated) ·Avalancherated ·100Lead-free;RoHScompliant ·Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSZ0909NS	文件：1.23512 Mbytes Page：11 Pages	n-ChannelPowerMOSFET 1.Description OptiMOS™30VproductsareclassleadingpowerMOSFETsforhighestpower densityandenergyefficientsolutions.Ultralowgate-andoutputchargestogether withlowestonstateresistanceinsmallfootprintpackagesmakeOptiMOS™30V thebestchoiceforthedemandingrequirements	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
DMI0909	文件：197.58 Kbytes Page：4 Pages	LeadedPowerChokesDMI	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
MGF0909	文件：22.93 Kbytes Page：3 Pages	L,SBANDPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF0909A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES •Highoutputpower P1dB=38dBm(TYP.)@f=2.3GHz •Highpowergain GLP=11dB(TYP.)@f=2.3GHz,Pin=20dBm •Highpoweraddedefficiency hadd=45(TYP.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
MGF0909A	文件：22.93 Kbytes Page：3 Pages	L,SBANDPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF0909A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES •Highoutputpower P1dB=38dBm(TYP.)@f=2.3GHz •Highpowergain GLP=11dB(TYP.)@f=2.3GHz,Pin=20dBm •Highpoweraddedefficiency hadd=45(TYP.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
MGF0909A	文件：115.2 Kbytes Page：3 Pages	High-powerGaAsFET(smallsignalgainstage)	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
MGF0909A	文件：38.08 Kbytes Page：3 Pages	L,SBANDPOWERGaAsFET?	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
PA0909	文件：631.28 Kbytes Page：4 Pages	HighFrequencyPlanarTransformers	pulse Pulse Electronics	pulse
PA0909NL	文件：631.28 Kbytes Page：4 Pages	HighFrequencyPlanarTransformers	pulse Pulse Electronics	pulse
PA0909NL	文件：116.35 Kbytes Page：4 Pages	HIGHFREQUENCYPLANARTRANSFORMERS	pulse Pulse Electronics	pulse

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RC-0909D/H供应商更新时间2024-5-24 10:45:00

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