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RBR3LAM30A中文资料30V, 3A, 肖特基势垒二极管数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RBR3LAM30A

参数属性

RBR3LAM30A 封装/外壳为SOD-128;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDTM

功能描述

30V, 3A, 肖特基势垒二极管
DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDTM

封装外壳

SOD-128

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-30 22:59:00

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RBR3LAM30A规格书详情

描述 Description

RBR3LAM30A是低VF的一般整流用肖特基势垒二极管。

特性 Features

• Small power mold type (PMDTM)
• High reliability
• Low VF

简介

RBR3LAM30A属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的RBR3LAM30A二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :RBR3LAM30A

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :PMDTM

  • 包装数量

    :3000

  • 最小独立包装数量

    :3000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Configuration

    :Single

  • Package Code

    :SOD-128

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Number of terminal

    :2

  • VRM[V]

    :30

  • Reverse Voltage VR[V]

    :30

  • Average Rectified Forward Current IO[A]

    :3

  • IFSM[A]

    :40

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]

    :0.58

  • IF @ Forward Voltage [A]

    :3

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]

    :0.05

  • VR @ Reverse Current[V]

    :30

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :2.5x4.7 (t=1.05)

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