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RBR30T30ANZ中文资料30V, 30A, 肖特基势垒二极管数据手册ROHM规格书

厂商型号 |
RBR30T30ANZ |
参数属性 | RBR30T30ANZ 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:RBR30T30ANZ IS LOW VF |
功能描述 | 30V, 30A, 肖特基势垒二极管 |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
制造商 | ROHM Rohm |
中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-30 18:03:00 |
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RBR30T30ANZ规格书详情
描述 Description
RBR30T30ANZ是低VF的开关电源用肖特基势垒二极管。
特性 Features
• Cathode common dual type
• High reliability
• Low VF
简介
RBR30T30ANZ属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的RBR30T30ANZ二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。
技术参数
更多- 制造商编号
:RBR30T30ANZ
- 生产厂家
:ROHM
- 封装
:TO-220FN (3PIN)
- 包装数量
:1000
- 最小独立包装数量
:1000
- 包装形态
:Tube
- RoHS
:Yes
- Configuration
:C-Common
- Package Code
:ITO-220AB
- Mounting Style
:Leaded type
- Number of terminal
:3
- VRM[V]
:30
- Reverse Voltage VR[V]
:30
- Average Rectified Forward Current IO[A]
:30
- IFSM[A]
:100
- Forward Voltage VF(Max.)[V]
:0.55
- IF @ Forward Voltage [A]
:15
- Reverse Current IR(Max.)[mA]
:0.3
- VR @ Reverse Current[V]
:30
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:150
- Package Size [mm]
:10x15 (t=4.9)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM Semiconductor |
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ROHM Semiconductor |
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