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RBR30T60ANZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V, 30A, 肖特基势垒二极管 RBR30T60ANZ是适合一般整流用途的肖特基势垒二极管。	ROHM 罗姆	ROHM
RBR30T60ANZ	文件：780.34 Kbytes Page：8 Pages	Schottky Barrier Diode 文件：780.34 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RBR30T60ANZC9	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：盒类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：RBR30T60ANZ IS SCHOTTKY BARRIER	ROHM 罗姆	ROHM
G30T60	文件：495.77 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology Features:  Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)  Maximum Junction Temperature 175°C  Short circuit withstand time 5s  Designed for : - Frequency Converters - Uninterruptible Power Supply  TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers : - very tight parameter distributio 文件：495.77 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
K30T60	文件：397.74 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Frequency Converters - Uninterruptible Power 文件：397.74 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

封装：
TO-220FN (3PIN)
包装数量：
500
包装形态：
Bulk
RoHS：
Yes
Configuration：
C-Common
Package Code：
ITO-220AB
Mounting Style：
Leaded type
Number of terminal：
3
VRM[V]：
60
Reverse Voltage VR[V]：
60
Average Rectified Forward Current IO[A]：
30
IFSM[A]：
100
Forward Voltage VF(Max.)[V]：
0.68
IF @ Forward Voltage [A]：
15
Reverse Current IR(Max.)[mA]：
0.6
VR @ Reverse Current[V]：
60
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10x15 (t=4.9)

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