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RBR30NS30A

30V, 30A, 肖特基势垒二极管; • Cathode common dual type\n• High reliability\n• Low VF\n;

RBR30NS30A是低VF的开关电源用肖特基势垒二极管。

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RBR30NS30A

Schottky Barrier Diode

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RBR30NS30AFH

30V, 30A, 车载肖特基势垒二极管(AEC-Q101标准); • Cathode common dual type\n• High reliability\n• Low VF\n;

RBR30NS30AFH是非常适用于普通整流应用的车载级高可靠性肖特基势垒二极管。

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RBR30NS30AFHTL

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTT 30V 30A LPDS

ETC

ETC

RBR30NS30ATL

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VR 30A

ETC

ETC

技术参数

  • 封装:

    TO-263S (D2PAK)

  • 包装数量:

    1000

  • 最小独立包装数量:

    1000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Configuration:

    C-Common

  • Package Code:

    TO-263S (D2PAK)

  • Package(JEITA):

    SC-83

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Number of terminal:

    3

  • VRM[V]:

    30

  • Reverse Voltage VR[V]:

    30

  • Average Rectified Forward Current IO[A]:

    30

  • IFSM[A]:

    100

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]:

    0.55

  • IF @ Forward Voltage [A]:

    15

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]:

    0.3

  • VR @ Reverse Current[V]:

    30

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    10.1x9 (t=4.7)

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更多RBR30NS30A供应商 更新时间2025-7-29 15:53:00