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RBR2LAM30A

Schottky Barrier Diode

文件:715.07 Kbytes 页数:8 Pages

ROHM

罗姆

RBR2LAM30ATF

Schottky Barrier Diode

文件:2.13707 Mbytes 页数:9 Pages

ROHM

罗姆

RBR2LAM30A

30V, 2A, 肖特基势垒二极管

RBR2LAM30A是低VF的一般整流用肖特基势垒二极管。 • Small power mold type (PMDTM)\n• High reliability\n• Low VF;

ROHM

罗姆

RBR2LAM30ATF

30V, 2A, 车载肖特基势垒二极管(AEC-Q101标准)

RBR2LAM30ATF是适合一般整流用途的车载级高可靠性肖特基势垒二极管。 • Small power mold type (PMDTM)\n• High reliability\n• Low VF;

ROHM

罗姆

RBR2LAM30ATFTR

Package:SOD-128;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

RBR2LAM30ATR

Package:SOD-128;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

技术参数

  • 封装:

    PMDTM

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Configuration:

    Single

  • Package Code:

    SOD-128

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Number of terminal:

    2

  • VRM[V]:

    30

  • Reverse Voltage VR[V]:

    30

  • Average Rectified Forward Current IO[A]:

    2

  • IFSM[A]:

    45

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]:

    0.49

  • IF @ Forward Voltage [A]:

    2

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]:

    0.08

  • VR @ Reverse Current[V]:

    30

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    2.5x4.7 (t=1.05)

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更多RBR2LAM30A供应商 更新时间2025-10-5 13:02:00