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RBR1MM30A

30V, 1A, 肖特基势垒二极管

RBR1MM30A是低VF的肖特基势垒二极管。 • Small power mold type (PMDU)\n• High reliability\n• Low VF;

ROHM

罗姆

RBR1MM30A

Schottky Barrier Diode

文件:662.81 Kbytes 页数:9 Pages

ROHM

罗姆

RBR1MM30ATF

30V, 1A, 肖特基势垒二极管(AEC-Q101标准)

RBR1MM30ATF是低VF的车载级高可靠性肖特基势垒二极管。 • Small power mold type (PMDU)\n• High reliability\n• Low VF;

ROHM

罗姆

RBR1MM30ATFTR

Package:SOD-123F;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VR 1A-

ROHM

罗姆

RBR1MM30ATR

Package:SOD-123F;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDU

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    PMDU

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Configuration:

    Single

  • Package Code:

    SOD-123FL

  • Package(JEITA):

    SC-109B

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Number of terminal:

    2

  • VRM[V]:

    30

  • Reverse Voltage VR[V]:

    30

  • Average Rectified Forward Current IO[A]:

    1

  • IFSM[A]:

    30

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]:

    0.48

  • IF @ Forward Voltage [A]:

    1

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]:

    0.05

  • VR @ Reverse Current[V]:

    30

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    1.6x3.5 (t=0.9)

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