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RBR1LAM30A	文件：778.33 Kbytes Page：8 Pages	Schottky Barrier Diode 文件：778.33 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RBR1LAM30ATF	文件：2.1252 Mbytes Page：9 Pages	Schottky Barrier Diode 文件：2.1252 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RBR1LAM30A	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V, 1A, 肖特基势垒二极管 RBR1LAM30A是低VF的一般整流用肖特基势垒二极管。 • Small power mold type (PMDTM)\n• High reliability\n• Low VF;	ROHM 罗姆	ROHM
RBR1LAM30ATF	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V, 1A, 肖特基势垒二极管（AEC-Q101标准） RBR1LAM30ATF是适合一般整流用途的车载级高可靠性肖特基势垒二极管。 • Small power mold type（PMDTM）\n• High reliability\n• Low VF;	ROHM 罗姆	ROHM
RBR1LAM30ATFTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-128；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
RBR1LAM30ATR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-128；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDTM	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

封装：
PMDTM
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Configuration：
Single
Package Code：
SOD-128
Mounting Style：
Surface mount
Number of terminal：
2
VRM[V]：
30
Reverse Voltage VR[V]：
30
Average Rectified Forward Current IO[A]：
1
IFSM[A]：
40
Forward Voltage VF(Max.)[V]：
0.48
IF @ Forward Voltage [A]：
1
Reverse Current IR(Max.)[mA]：
0.05
VR @ Reverse Current[V]：
30
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.5x4.7 (t=1.05)

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