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RBR10BM30A

肖特基势垒二极管

RBR10BM30A是低VF的一般整流用肖特基势垒二极管。 • Power mold type (TO-252)\n• Cathode common dual type\n• High reliability\n• Low VF;

ROHM

罗姆

RBR10BM30A

Schottky Barrier Diode

文件:725.65 Kbytes 页数:9 Pages

ROHM

罗姆

RBR10BM30AFH

30V, 10A, 肖特基势垒二极管(支持AEC-Q101)

RBR10BM30AFH是适用于一般整流用途,支持车载的高可靠性肖特基势垒二极管。 • Power mold type (TO-252)\n• Cathode common dual type\n• High reliability\n• Low VF;

ROHM

罗姆

RBR10BM30AFHTL

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTT 30V 10A TO252

ROHM

罗姆

RBR10BM30ATL

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VR 10A

ROHM

罗姆

技术参数

  • Status:

    推荐品

  • 封装:

    TO-252

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Code:

    TO-252 (DPAK)

  • Package(JEITA):

    SC-63

  • Package Size[mm]:

    6.6x10.0 (t=2.2)

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Number of terminal:

    3

  • VRM[V]:

    30

  • Reverse Voltage VR[V]:

    30

  • Average Rectified Forward Current IO[A]:

    10.0

  • IFSM[A]:

    50.0

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]:

    0.55

  • IF @ Forward Voltage [A]:

    5.0

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]:

    0.1

  • VR @ Reverse Current[V]:

    30

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

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更多RBR10BM30A供应商 更新时间2025-12-1 14:57:00