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RBQ30T100ANZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Diode RBQ30T100ANZ is Low IR Schottkey Barrier Diode for General rectification.	ROHM 罗姆	ROHM
RBQ30T100ANZ	文件：1.78531 Mbytes Page：10 Pages	丝印：BQ30T100；Package：TO-220FN；Schottky Barrier Diode 文件：1.78531 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
S30T100C	文件：159.37 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers 文件：159.37 Kbytes 页数：2 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
S30T100F	文件：163.07 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers 文件：163.07 Kbytes 页数：2 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
SM30T100AY	文件：1.2019 Mbytes Page：16 Pages	Automotive 3000 W TVS in SMC Features • AEC-Q101 qualified • Peak pulse power: – 3000 W (10/1000 μs) – up to 40 kW (8/20 μs) • Stand-off voltage range from 5 V to 188 V • Unidirectional and bidirectional types • Low leakage current: 0.2 μA at 25 °C • Operating Tj max: 175 °C • JEDEC registered package outline • Lead 文件：1.2019 Mbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Status：
推荐品
封装：
TO-220FN (3PIN)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
ITO-220AB
Package Size[mm]：
10.0x15.0 (t=4.5)
Mounting Style：
Leaded type
Number of terminal：
3
VRM[V]：
100
Reverse Voltage VR[V]：
100
Average Rectified Forward Current IO[A]：
30.0
IFSM[A]：
100.0
Forward Voltage VF(Max.)[V]：
0.77
IF @ Forward Voltage [A]：
15.0
Reverse Current IR(Max.)[mA]：
0.2
VR @ Reverse Current[V]：
100
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	RBQ30T100ANZ	ROHM/罗姆	23+	ITO-220AB	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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更多RBQ30T100ANZ供应商更新时间2026-1-30 11:10:00

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