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RBQ10T65A

Schottky Barrier Diode

文件:1.05893 Mbytes 页数:5 Pages

ROHM

罗姆

RBQ10T65ANZ

Schottky Barrier Diode

文件:741.72 Kbytes 页数:9 Pages

ROHM

罗姆

RBQ10T65A

High Efficiency , High Reliability Type Schottky Barrier Diodes

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •阴极共通型(TO-220)。\n•低IR型、高可靠性。;

ROHM

罗姆

RBQ10T65AHZ

肖特基势垒二极管(AEC-Q101标准)

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •阴极共通型(TO-220)。\n•低IR型、高可靠性。;

ROHM

罗姆

RBQ10T65ANZ

65V, 10A, 肖特基势垒二极管

RBQ10T65ANZ是低IR的一般整流用肖特基势垒二极管。 •阴极共通型(TO-220)。\n•低IR型、高可靠性。;

ROHM

罗姆

RBQ10T65ANZC9

Package:TO-220-3 整包;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:RBQ10T65ANZ IS LOW IR

ROHM

罗姆

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    TO-220FN (3PIN)

  • 包装数量:

    500

  • 包装形态:

    Bulk

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Code:

    ITO-220AB

  • Package Size[mm]:

    10.0x15.0 (t=4.5)

  • Mounting Style:

    Leaded type

  • Number of terminal:

    3

  • VRM[V]:

    65

  • Reverse Voltage VR[V]:

    65

  • Average Rectified Forward Current IO[A]:

    10.0

  • IFSM[A]:

    50.0

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]:

    0.69

  • IF @ Forward Voltage [A]:

    5.0

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]:

    0.15

  • VR @ Reverse Current[V]:

    65

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -40

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM
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ROHM/罗姆
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更多RBQ10T65A供应商 更新时间2026-1-22 9:18:00