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RBLQ3LAM10	文件：1.837 Mbytes Page：9 Pages	丝印：3L；Package：SOD-128；Schottky Barrier Diode 文件：1.837 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RBLQ3LAM10	文件：300 bytes Page：1 Pages	沟槽MOS势垒结构, 100V 3A, SOD-128, 高效率功率SBD RBLQ3LAM10是彻底改善了低VF与低IR之间平衡关系的高效率肖特基势垒二极管。在保持低VF的同时，实现了高温动作时的稳定动作。较适合开关电源、续流二极管、反接保护用途。 • High reliability\n• Low VF and low IR;	ROHM 罗姆	ROHM
RBLQ3LAM10TF	文件：1.83677 Mbytes Page：9 Pages	丝印：3L；Package：SOD-128；Schottky Barrier Diode 文件：1.83677 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RBLQ3LAM10TF	文件：300 bytes Page：1 Pages	沟槽MOS势垒结构, 100V 3A, SOD-128, 车载用高效率功率SBD RBLQ3LAM10TF是彻底改善了低VF与低IR之间平衡关系的高效率肖特基势垒二极管。在保持低VF的同时，实现了高温动作时的稳定动作。较适合开关电源、续流二极管、反接保护用途。 • High reliability\n• Small power mold type\n• Low VF and low IR;	ROHM 罗姆	ROHM
RBLQ3LAM10TFTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-128；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 3A,	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
PMDTM
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Configuration：
Single
Package Code：
SOD-128
Mounting Style：
Surface mount
Number of terminal：
2
VRM[V]：
100
Reverse Voltage VR[V]：
100
Average Rectified Forward Current IO[A]：
3
IFSM[A]：
80
Forward Voltage VF(Max.)[V]：
0.64
IF @ Forward Voltage [A]：
3
Reverse Current IR(Max.)[mA]：
0.03
VR @ Reverse Current[V]：
100
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
2.5x4.7 (t=1.05)

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更多RBLQ3LAM10供应商更新时间2026-1-28 11:06:00

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