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RBLQ2MM10 | 丝印:2L;Package:SOD-123FL;Schottky Barrier Diode 文件:1.90717 Mbytes 页数:9 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | |
RBLQ2MM10 | 沟槽MOS势垒结构, 100V 2A, SOD-123FL, 高效率功率SBD RBLQ2MM10是彻底改善了低VF与低IR之间平衡关系的高效率肖特基势垒二极管。在保持低VF的同时,实现了高温动作时的稳定动作。较适合开关电源、续流二极管、反接保护用途。 • High reliability\n• Small power mold type\n• Low VF and low IR; | ROHM 罗姆 | ROHM | |
丝印:2L;Package:SOD-123FL;Schottky Barrier Diode 文件:1.90699 Mbytes 页数:9 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | ||
沟槽MOS势垒结构, 100V 2A, SOD-123FL, 车载用 高效率功率SBD RBLQ2MM10TF是彻底改善了低VF与低IR之间平衡关系的高效率肖特基势垒二极管。在保持低VF的同时,实现了高温动作时的稳定动作。较适合开关电源、续流二极管、反接保护用途。 • High reliability\n• Small power mold type\n• Low VF and low IR; | ROHM 罗姆 | ROHM |
技术参数
- 封装:
PMDU
- 包装数量:
3000
- 最小独立包装数量:
3000
- 包装形态:
Taping
- RoHS:
Yes
- Configuration:
Single
- Package Code:
SOD-123FL
- Package(JEITA):
SC-109B
- Mounting Style:
Surface mount
- Number of terminal:
2
- VRM[V]:
100
- Reverse Voltage VR[V]:
100
- Average Rectified Forward Current IO[A]:
2
- IFSM[A]:
30
- Forward Voltage VF(Max.)[V]:
0.77
- IF @ Forward Voltage [A]:
2
- Reverse Current IR(Max.)[mA]:
0.01
- VR @ Reverse Current[V]:
100
- Storage Temperature (Min.)[°C]:
-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]:
175
- Package Size [mm]:
1.6x3.5 (t=0.9)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
2511 |
SOD-123FL |
360000 |
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ROHM/罗姆 |
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SOD-123FL |
20000 |
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