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RBLQ2MM10

丝印:2L;Package:SOD-123FL;Schottky Barrier Diode

文件:1.90717 Mbytes 页数:9 Pages

ROHM

罗姆

RBLQ2MM10

沟槽MOS势垒结构, 100V 2A, SOD-123FL, 高效率功率SBD

RBLQ2MM10是彻底改善了低VF与低IR之间平衡关系的高效率肖特基势垒二极管。在保持低VF的同时,实现了高温动作时的稳定动作。较适合开关电源、续流二极管、反接保护用途。 • High reliability\n• Small power mold type\n• Low VF and low IR;

ROHM

罗姆

RBLQ2MM10TF

丝印:2L;Package:SOD-123FL;Schottky Barrier Diode

文件:1.90699 Mbytes 页数:9 Pages

ROHM

罗姆

RBLQ2MM10TF

沟槽MOS势垒结构, 100V 2A, SOD-123FL, 车载用 高效率功率SBD

RBLQ2MM10TF是彻底改善了低VF与低IR之间平衡关系的高效率肖特基势垒二极管。在保持低VF的同时,实现了高温动作时的稳定动作。较适合开关电源、续流二极管、反接保护用途。 • High reliability\n• Small power mold type\n• Low VF and low IR;

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    PMDU

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Configuration:

    Single

  • Package Code:

    SOD-123FL

  • Package(JEITA):

    SC-109B

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Number of terminal:

    2

  • VRM[V]:

    100

  • Reverse Voltage VR[V]:

    100

  • Average Rectified Forward Current IO[A]:

    2

  • IFSM[A]:

    30

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]:

    0.77

  • IF @ Forward Voltage [A]:

    2

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]:

    0.01

  • VR @ Reverse Current[V]:

    100

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    1.6x3.5 (t=0.9)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
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SOD-123FL
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更多RBLQ2MM10供应商 更新时间2026-1-30 12:00:00