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RB541XN

Schottky Barrier Diode

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RB541XN

丝印:5R;Package:SOT-363;Schottky Barrier Diode

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RB541XN

Schottky Barrier Diodes; •小型功率塑胶型。\n•低VF型、高可靠性。;

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RB541XNFH

Schottky Barrier Diodes (支持 AEC-Q101); •小型功率塑胶型。\n•低VF型、高可靠性。;

车载肖特基二极管与通用品共用数据表。下订单时,请注意下列型号命名方式,编写为车载型号。

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RB541XN_16

Schottky Barrier Diode

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RB541XNFHTR

Package:6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:ROHM'S SCHOTTKY BARRIER DIODES A

ETC

ETC

RB541XNTR

Package:6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD6

ETC

ETC

技术参数

  • 封装:

    UMD6

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Configuration:

    Triple Line

  • Package Code:

    SOT-363

  • Package(JEITA):

    SC-88

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Number of terminal:

    6

  • Reverse Voltage VR[V]:

    30

  • Average Rectified Forward Current IO[A]:

    0.1

  • IFSM[A]:

    0.5

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]:

    0.35

  • IF @ Forward Voltage [A]:

    0.01

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]:

    0.01

  • VR @ Reverse Current[V]:

    10

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -40

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    125

  • Package Size [mm]:

    2x2.1 (t=1)

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更多RB541XN供应商 更新时间2025-7-29 15:53:00