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RB520S-30	文件：243.1 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSchottkyBarrierDiode Features •Extremelysmallsurfacemountingtype •Highreliability	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RB520S-30	文件：126.06 Kbytes Page：4 Pages	Schottkybarrierdiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB520S-30	文件：175.81 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA VR=30Volts RoHSDevice Features -Lowreversecurrent. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythinpackage. -Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata -Case:SOD-523standardpackage,moldedplastic. -Terminals:SolderableperMIL-STD-750,method2026.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
RB520S-30	文件：30.88 Kbytes Page：1 Pages	Schottkybarrierdiode Features ●UltraSmallmoldtype.(EMD2) ●LowIR. ●Highreliability.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
RB520S-30	文件：90.15 Kbytes Page：2 Pages	SchottkybarrierDiodes FEATURES ●Smallsurfacemountingtype ●Lowreversecurrentandlowforwardvoltage ●Highreliability	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
RB520S-30	文件：295.91 Kbytes Page：3 Pages	200mW,LowVFSMDSchottkyBarrierDiode Features ◇Lowpowerloss,highcurrentcapability,lowVF ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGon packingcodeandprefixG	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
RB520S-30	文件：125.81 Kbytes Page：2 Pages	SchottkybarrierDiodes FEATURES ●Smallsurfacemountingtype ●Lowreversecurrentandlowforwardvoltage ●Highreliability	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
RB520S-30	文件：733.71 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode 200mWSOD-523SURFACEMOUNT VerySmallOutlineFlatLeadPlasticPackage SchottkyBarrierDiode SpecificationFeatures: ■LowForwardVoltageDrop ■FlatLeadSOD-523SmallOutlinePlasticPackage ■ExtremelySmallSOD-523Package ■SurfaceDeviceTypeMounting ■MoistureSensitivityLevel	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
RB520S-30	文件：138.1 Kbytes Page：5 Pages	200mW,LowVFSMDSchottkyBarrierDiode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
RB520S-30	文件：331.19 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●LowIR=0.1μA. ●Highreliability. ●Smallsurfacemounting. APPLICATIONS ●Lowcurrentrectification.	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA

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