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RB461F	文件：58.96 Kbytes Page：2 Pages	Schottky barrier diode Features High reliability Small mold type Super low VF Application General rectification Structure Silicon epitaxial planar 文件：58.96 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RB461F	文件：347.44 Kbytes Page：4 Pages	丝印：3B；Package：SOT-323；Schottky Barrier Diode Features High reliability Small mold type Super low VF Application General rectification Structure Silicon epitaxial planar 文件：347.44 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RB461F	文件：110.72 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES ● Small total capacitance. ● Power dissipation.(PD=150mW) APPLICATIONS ● For general purpose applications. 文件：110.72 Kbytes 页数：2 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
RB461F	文件：331.29 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODE FEATURES ● Low-power rectification ● For switching power supply ● Ultra low VF.(VF=0.45V Typ. at 0.7A) ● IF=0.7A guaranteed despite the size. 文件：331.29 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
RB461F	文件：582.23 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES ● Low-power rectification ● For switching power supply ● Ultra low VF ● IF=0.7A guaranteed despite the size 文件：582.23 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
RB461F	文件：43.03 Kbytes Page：1 Pages	Schottky barrier diode Features ● Small surface mounting type. (UMD3) ● Ultra low VF.(VF=0.45V Typ. at 0.7A) ● IF=0.7A guaranteed despite the size. 文件：43.03 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
RB461F	文件：50.77 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Low Forward Voltage Fast Switching Speed PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection For General Purpose Switching Applications Plastic Material – UL Recognition Flammability Classification 94V-0 文件：50.77 Kbytes 页数：4 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
RB461F	文件：245.65 Kbytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Diodes Features ◇ Small total capacitance. ◇ Power dissipation.(PD=150mW) Applications ◇ For general purpose applications. 文件：245.65 Kbytes 页数：1 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
RB461F	文件：62.05 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY DIODE FEATURES Power dissipation PD: 150 mW (Tamb=25℃) Collector current IF: 0.7 A Reverse voltage VR: 20 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：62.05 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
RB461F	文件：174.12 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode 文件：174.12 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN

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技术参数

封装：
UMD3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Configuration：
Single
Package Code：
SOT-323
Package(JEITA)：
SC-70
Mounting Style：
Surface mount
Number of terminal：
3
VRM[V]：
25
Reverse Voltage VR[V]：
20
Average Rectified Forward Current IO[A]：
0.7
IFSM[A]：
3
Forward Voltage VF(Max.)[V]：
0.49
IF @ Forward Voltage [A]：
0.7
Reverse Current IR(Max.)[mA]：
0.2
VR @ Reverse Current[V]：
20
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]：
125
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=1)

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更多RB461F供应商更新时间2025-12-9 18:59:00

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