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RAF040P01	文件：1.19573 Mbytes Page：7 Pages	1.5V Drive Pch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：1.19573 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RAF040P01	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.5V Drive Pch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •低电压1.5V驱动型 Pch MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RZR040P01	文件：223.93 Kbytes Page：5 Pages	1.5V Drive Pch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：223.93 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RZR040P01TL	文件：496.26 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：496.26 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

封装：
TUMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-323T
JEITA Package：
SC-113A
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-12
Drain Current ID[A]：
-4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.027
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.022
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.04
Total gate charge Qg[nC]：
37
Power Dissipation (PD)[W]：
0.8
Drive Voltage[V]：
-1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=0.85)

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