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RA60H3847M1	文件：305.07 Kbytes Page：11 Pages	RoHS Compliance, 378-470MHz 60W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：305.07 Kbytes 页数：11 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA60H3847M1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA60H3847M1	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RA60H3847M1-101	文件：305.07 Kbytes Page：11 Pages	RoHS Compliance, 378-470MHz 60W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：305.07 Kbytes 页数：11 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA60H3847M1A	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA60H3847M1A	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Frequency (Min - Max)：
378～470MHz
Output Power：
60W
Package：
H2M
Input Power Typ：
50mW
Drain Efficiency (Min)：
40%
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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