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RA60H1317M1B	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA60H1317M1B	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RA60H1317M1A	文件：215.39 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance ,136-174MHz 60W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：215.39 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA60H1317M1A	文件：213.06 Kbytes Page：10 Pages	136-174MHz 60W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：213.06 Kbytes 页数：10 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA60H1317M1A	文件：109.75 Kbytes Page：9 Pages	RF MOSFET MODULE 136-174MHz 60W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：109.75 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Frequency (Min - Max)：
136～174MHz
Output Power：
60W
Package：
H2M(A)
Input Power Typ：
50mW
Drain Efficiency (Min)：
45%
Feature：
VGS1，VGD2 Separation type
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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