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RA60H1317M-101	文件：231.17 Kbytes Page：8 Pages	RoHS Compliance ,135-175MHz 60W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RA60H1317M-101	文件：89.62 Kbytes Page：9 Pages	135-175MHz 60W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RA60H1317M-101	文件：245.11 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance , 135-175MHz 60W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RA60H1317M-101	文件：245.11 Kbytes Page：9 Pages	Broadband Frequency Range	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RA60H1317M1A	文件：109.75 Kbytes Page：9 Pages	RF MOSFET MODULE 136-174MHz 60W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RA60H1317M1A	文件：213.06 Kbytes Page：10 Pages	136-174MHz 60W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RA60H1317M1A	文件：215.39 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance ,136-174MHz 60W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RA60H1317M1A	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA60H1317M1A;	MITSUBISHIMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	MITSUBISHI
RA60H1317M1A_08	文件：109.75 Kbytes Page：9 Pages	RF MOSFET MODULE 136-174MHz 60W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RA60H1317M1A_11	文件：213.06 Kbytes Page：10 Pages	136-174MHz 60W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

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技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Frequency (Min - Max)：
135～175MHz
Output Power：
60W
Package：
H2S
Input Power Typ：
50mW
Drain Efficiency (Min)：
40%
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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