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RA55H4452M	文件：182.85 Kbytes Page：8 Pages	RF MOSFET MODULE 440-520MHz 55W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：182.85 Kbytes 页数：8 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
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RA55H4452M_11	文件：258.35 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance , 440-520MHz 55W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：258.35 Kbytes 页数：9 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RA55H4452M-101	文件：258.35 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance , 440-520MHz 55W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：258.35 Kbytes 页数：9 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RA55H4452M-101	文件：258.35 Kbytes Page：9 Pages	Broadband Frequency Range 文件：258.35 Kbytes 页数：9 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RA55H4452M-101	文件：182.85 Kbytes Page：8 Pages	RF MOSFET MODULE 440-520MHz 55W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：182.85 Kbytes 页数：8 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RA55H4452M-101	文件：102.87 Kbytes Page：9 Pages	440-520MHz 55W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：102.87 Kbytes 页数：9 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RA55H4452M	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA55H4452M	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Frequency (Min - Max)：
440^520 / 490^520MHz
Output Power：
55.0 / 45.0W
Package：
H2S
Input Power Typ：
50mW
Drain Efficiency (Min)：
43 / 35%
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RA55H4452M供应商更新时间2026-2-1 8:01:00

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