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RA55H3847M	文件：185.93 Kbytes Page：8 Pages	RF MOSFET MODULE 380-470MHz 55W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：185.93 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
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RA55H3847M_11	文件：262.79 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance , 380-470MHz 55W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：262.79 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
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RA55H3847M	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA55H3847M	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Frequency (Min - Max)：
380～470MHz
Output Power：
55W
Package：
H2S
Input Power Typ：
50mW
Drain Efficiency (Min)：
38%
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RA55H3847M供应商更新时间2025-10-8 14:01:00

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