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RA55H3340M	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA55H3340M	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Frequency (Min - Max)：
330～400MHz
Output Power：
55W
Package：
H2S
Input Power Typ：
50mW
Drain Efficiency (Min)：
35%
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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