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RA30H4047M1	文件：152.42 Kbytes Page：9 Pages	RF MOSFET MODULE 400-470MHz 30W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：152.42 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
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RA30H4047M1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H4047M1	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RA30H4047M1_08	文件：157.81 Kbytes Page：9 Pages	400-470MHz 30W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：157.81 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
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RA30H4047M1_11	文件：246.41 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, 400-470MHz 30W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：246.41 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA30H4047M1-101	文件：246.41 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, 400-470MHz 30W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：246.41 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA30H4047M1-101	文件：246.41 Kbytes Page：9 Pages	Broadband Frequency Range 文件：246.41 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Frequency (Min - Max)：
400～470MHz
Output Power：
30W
Package：
H2M
Input Power Typ：
50mW
Drain Efficiency (Min)：
42%
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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