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RA30H0608M1

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H0608M1

MITSUBISHI

三菱电机

RA30H4452M

TO59

MITSUBISHI/三菱

RA55H4047M

NEXPERIA安世

RA8835AP3N

QFP60

RA8900CE其他晶振

QFN

EPSON/爱普生

上传:深圳庞田科技有限公司

EPSON/爱普生

技术参数

  • Drain Voltage Typ:

    12.5V

  • Frequency (Min - Max):

    68~88MHz

  • Output Power:

    30W

  • Package:

    H2M

  • Input Power Typ:

    50mW

  • Drain Efficiency (Min):

    40%

  • RoHS Directive:

    2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MITSUBISHI
23+
1688
房间现货库存:QQ:373621633
询价
MITSUBISHI/三菱
23+
H2S
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
询价
MITSUBISHI
13+
2313
原装分销
询价
MITSUBISHI
17+
H2S
9800
只做全新进口原装,现货库存
询价
MITSUBI
24+
SMD
1680
一级代理原装进口现货
询价
MITSUBISHI/三菱
25+
1055
全新原装现货,假一赔十.
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MITSUBISH
19+
1000
进口原装现货假一赔万力挺实单
询价
MITSUBISHI
NA
1055
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
MITSUBISHI
23+
H2S
20000
全新原装假一赔十
询价
Mitsubishi(三菱)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
更多RA30H0608M1供应商 更新时间2025-12-8 10:31:00