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2718	文件：111.21 Kbytes Page：1 Pages	Heyco짰DoubleDHolePlugs	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
APA2718HAI-TRG	文件：612.77 Kbytes Page：30 Pages	100mWStereoCap-FreeHeadphoneDriver GeneralDescription TheAPA2178isastereo,fixedgain,Cap-FreeheadphonedriverwhichisavailableinaWLCSP2x2-16package. TheAPA2178isaground-referenceoutput,anddoesn’tneedtheoutputcapacitorsforDCblocking.Theadvantagesofeliminatingtheoutputcapacitoraresavingthecost	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APS2718S-T-R	文件：287.96 Kbytes Page：1 Pages	Speaker	PUIProjects Unlimited, Inc. Projects Unlimited, Inc.	PUI
DG2718	文件：116.78 Kbytes Page：7 Pages	0.45-CMOS,1.65-Vto3.6-V,DualDPDTAnalogSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
K2718	文件：285.5 Kbytes Page：5 Pages	NCHANNELMOSTYPE(HIGHSPEED,HIGHCURRENTSWITCHING,DC-DCCONVERTERANDMOTORDRIVEAPPLICATIONS)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
MIC-2718	文件：178.97 Kbytes Page：1 Pages	16-ChannelAnalogInputModule	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
MMA2718W	文件：2.60962 Mbytes Page：84 Pages	XtrinsicMMA27XXW/17XXWDSI3InertialSensor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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NJM2718E	文件：528.62 Kbytes Page：10 Pages	Single-SupplyHigh-OperatingvoltageDualOperationalAmplifier	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJM2718V	文件：528.62 Kbytes Page：10 Pages	Single-SupplyHigh-OperatingvoltageDualOperationalAmplifier	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
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PA2718NL	文件：595.7 Kbytes Page：2 Pages	HighFrequencyWireWoundTransformers	pulse Pulse Electronics	pulse
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PBPA2718	文件：69.58 Kbytes Page：2 Pages	Panneauinterieur-SeriePB	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
PM-DB2718	文件：214.66 Kbytes Page：11 Pages	DATABUSINTERFACETRANSFORMERSLOWPROFILESINGLE/DUAL	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
SSB-CEL2718UWW	文件：109.14 Kbytes Page：1 Pages	CustomEdgeLIT,LEDBACKLIGHT	Lumex LUMEX INC.	Lumex
UPA2718AGR	文件：358.97 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2718AGRisP-ChannelMOSFieldEffect Transistordesignedforpowermanagementapplicationsof notebookcomputersandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=9.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−6.5A) RDS(on)2=14.5mΩMAX.(VGS	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2718GR	文件：357.4 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2718GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=9.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−6.5A) RDS(on)2=14.5mΩMAX.(VGS=−4.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2718GR	文件：138.41 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

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更多RA2718H供应商更新时间2024-6-24 11:36:00

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