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RA20H8994M中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA20H8994M数据手册MITSUBISHI规格书
技术参数
- 制造商编号
：RA20H8994M
- 生产厂家
：MITSUBISHI
- Drain Voltage Typ
：12.5V
- Frequency (Min - Max)
：896～941MHz
- Output Power
：20W
- Package
：H2S
- Input Power Typ
：50mW
- Drain Efficiency (Min)
：25%
- Feature
：-
- RoHS Directive
：2011/65/EU RoHS2 Compliant
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSHIBIS |
24+ |
300 |
现货供应 |
询价 | |||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
750 |
全新原装现货,假一赔十. |
询价 | |||
MITSUBI |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
HONEYWELLSEN |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
MIT |
24+ |
39000 |
只做原装进口现货 |
询价 | |||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
Honeywell |
新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
MITSUBISH |
2025+ |
H2S |
32560 |
原装优势绝对有货 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
MITSHIBIS |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |
