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RA20H8087M中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA20H8087M数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

RA20H8087M

功能描述

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA20H8087M

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-9-22 18:11:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RA20H8087M

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Drain Voltage Typ

    :12.5V

  • Frequency (Min - Max)

    :806~870MHz

  • Output Power

    :20W

  • Package

    :H2S

  • Input Power Typ

    :50mW

  • Drain Efficiency (Min)

    :25%

  • Feature

    :-

  • RoHS Directive

    :2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI
09+
DIP
50
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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MOTOROLA/摩托罗拉
24+
TO-59
330
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24+
H2S
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原装,正品
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23+
1055
全新原装现货,假一赔十.
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24+
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5500
长期供应原装现货实单可谈
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NA
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专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子
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MITSUBISHI
23+
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专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品
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MITSUBISHI/三菱
25+
H2S
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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25+
模块
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原厂原装,价格优势
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MITSUBISHI/三菱
24+
39000
只做原装进口现货
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