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RA20H8087M中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA20H8087M数据手册MITSUBISHI规格书
技术参数
- 制造商编号
:RA20H8087M
- 生产厂家
:MITSUBISHI
- Drain Voltage Typ
:12.5V
- Frequency (Min - Max)
:806~870MHz
- Output Power
:20W
- Package
:H2S
- Input Power Typ
:50mW
- Drain Efficiency (Min)
:25%
- Feature
:-
- RoHS Directive
:2011/65/EU RoHS2 Compliant
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI |
09+ |
DIP |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
24+ |
TO-59 |
330 |
价格优势 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
24+ |
H2S |
8000 |
原装,正品 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
1055 |
全新原装现货,假一赔十. |
询价 | |||
MITSUBISH |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
ROHS+Original |
NA |
4 |
专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
23+ |
NA |
4 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
25+ |
H2S |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
MIT |
25+ |
模块 |
860 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
39000 |
只做原装进口现货 |
询价 |