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RA18H1213G中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA18H1213G数据手册MITSUBISHI规格书
技术参数
- 制造商编号
：RA18H1213G
- 生产厂家
：MITSUBISHI
- Drain Voltage Typ
：12.5V
- Frequency (Min - Max)
：1240～1300MHz
- Output Power
：18W
- Package
：H2S
- Input Power Typ
：200mW
- Drain Efficiency (Min)
：20%
- Feature
：-
- RoHS Directive
：2011/65/EU RoHS2 Compliant
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MIT |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
2450+ |
SMM1006 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ROHM Semiconductor |
23+ |
100 |
原装正品现货,德为本,正为先,通天下! |
询价 | |||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
750 |
全新原装现货,假一赔十. |
询价 | |||
MITSUBISH |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
25+ |
H2S |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
MIT |
24+ |
39000 |
只做原装进口现货 |
询价 | |||
MIT |
25+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
询价 | |||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
MITSUBI |
2025+ |
模块 |
32560 |
原装优势绝对有货 |
询价 |
