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RA13H4452M中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA13H4452M数据手册MITSUBISHI规格书
技术参数
- 制造商编号
：RA13H4452M
- 生产厂家
：MITSUBISHI
- Drain Voltage Typ
：12.5V
- Frequency (Min - Max)
：440～520MHz
- Output Power
：13W
- Package
：H2S
- Input Power Typ
：50mW
- Drain Efficiency (Min)
：40%
- Feature
：-
- RoHS Directive
：2011/65/EU RoHS2 Compliant
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
NA/ |
609 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
23+ |
H2S |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
15+ |
假一赔十 |
528 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
MITSUBIS |
24+ |
233 |
现货供应 |
询价 | |||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
H2S |
9800 |
全新原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
MIT |
24+ |
39000 |
只做原装进口现货 |
询价 | |||
Mitsubishi Electric (三菱) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
H2M |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |
