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RA13H4047M1

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA13H4047M1;

MITSUBISHIMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

技术参数

  • Drain Voltage_Typ:

    12.5V

  • Frequency (Min - Max):

    400~470MHz

  • Output Power:

    13W

  • Package:

    H2M

  • Input Power_Typ:

    50mW

  • Drain Efficiency (Min):

    35%

  • RoHS Directive:

    Compliant with RoHS (2011/65/EU、(EU) 2015/863)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RA13H4047M1供应商 更新时间2025-7-29 9:38:00