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RA08N1317M	文件：62.82 Kbytes Page：9 Pages	135-175MHz 8W 9.6V PORTABLE RADIO 文件：62.82 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
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RA08N1317M_10	文件：149.36 Kbytes Page：9 Pages	135-175MHz 8W 9.6V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO 文件：149.36 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA08N1317M-01	文件：62.82 Kbytes Page：9 Pages	135-175MHz 8W 9.6V PORTABLE RADIO 文件：62.82 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
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RA08N1317M	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA08N1317M	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

技术参数

Drain Voltage Typ：
9.6V
Frequency (Min - Max)：
135～175MHz
Output Power：
8W
Package：
H46S
Input Power Typ：
20mW
Drain Efficiency (Min)：
50%
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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更多RA08N1317M供应商更新时间2025-12-11 14:01:00

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