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RA06H8285M中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA06H8285M数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

RA06H8285M

功能描述

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA06H8285M

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-9-23 9:48:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RA06H8285M

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Drain Voltage Typ

    :12.5V

  • Frequency (Min - Max)

    :820~851MHz

  • Output Power

    :6W

  • Package

    :H11S

  • Input Power Typ

    :1mW

  • Drain Efficiency (Min)

    :35%

  • Feature

    :-

  • RoHS Directive

    :2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISH
23+
MODULES
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
MITSUBISHI/三菱
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
询价
Mitsubishi Electric (三菱)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
MITSUBISHI
H11S
760
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
HYNIX
23+
SOP-20P
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
询价
MITSUBISH
24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
询价
MITSUBI
23+
N/A
7560
原厂原装
询价
MITSUBISHI/三菱
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
询价
MITSUBISHI/三菱
25+
H46S
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
MITSUBISHI
2023+
H11S
5800
进口原装,现货热卖
询价