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RA03M8087M中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA03M8087M数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

RA03M8087M

功能描述

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA03M8087M

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RA03M8087M

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Drain Voltage Typ

    :7.2V

  • Frequency (Min - Max)

    :806~870MHz

  • Output Power

    :3.6W

  • Package

    :H46S

  • Input Power Typ

    :50mW

  • Drain Efficiency (Min)

    :32%

  • Feature

    :-

  • RoHS Directive

    :2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBIS
24+
NA/
3355
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25+
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39000
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SMD
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