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R8005ANJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 800V 5A Power MOSFET R8005ANJ是低导通电阻的高速开关速度的功率MOSFET。; 1) Low on-resistance.\n2) Fast switching speed.\n3) Gate-source voltage(VGSS)guaranteed to be ±30V.\n4) Drive circuits can be simple.\n5) Parallel use is easy.\n6) Pb-free lead plating; RoHS compliant.;	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
R8005ANJ	文件：995.06 Kbytes Page：14 Pages	Nch 800V 5A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
R8005ANJ	文件：298.64 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
R8005ANJFRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 800V 5A 车载功率MOSFET R8005ANJ FRG是非常适用于开关应用的功率MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度。是车载级高可靠性产品。; • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 qualified\n;	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
R8005ANJFRG	文件：1.59056 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R8005ANJ；Package：TO-263S；Nch 800V 5A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团

技术参数

封装：
LPTS (D2PAK)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package：
SC-83
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
800
Drain Current ID[A]：
5
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
1.6
Total gate charge Qg[nC]：
20
Power Dissipation (PD)[W]：
120
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
330
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x13.1 (t=4.7)

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