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R8002ANJ	文件：986.15 Kbytes Page：14 Pages	Nch 800V 2A Power MOSFET 文件：986.15 Kbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R8002ANJ	文件：298.97 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：298.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R8002ANJFRG	文件：1.55162 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R8002ANJ；Package：TO-263S；Nch 800V 2A Power MOSFET 文件：1.55162 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R8002ANJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 800V 2A Power MOSFET R8002ANJ是低导通电阻的高速开关速度的功率MOSFET。 1) Low on-resistance.\n2) Fast switching speed.\n3) Gate-source voltage(VGSS)guaranteed to be ±30V.\n4) Drive circuits can be simple.\n5) Parallel use is easy.\n6) Pb-free lead plating; RoHS compliant.;	ROHM 罗姆	ROHM
R8002ANJFRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 800V 2A 车载功率MOSFET R8002ANJ FRG是非常适用于开关应用的功率MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度。是车载级高可靠性产品。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 qualified;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
LPTS (D2PAK)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package：
SC-83
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
800
Drain Current ID[A]：
2
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
3.3
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
3.3
Total gate charge Qg[nC]：
13
Power Dissipation (PD)[W]：
62
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
220
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x13.1 (t=4.7)

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