High-performance 200 MHz Arm Cortex-M33 core, up to 2 MB code flash memory with Dual-bank, background and SWAP operation, 8 KB Data flash memory, and 512 KB SRAM with Parity/ECC.

■ Arm® Cortex®-M33 Core ● Armv8-M architecture with the main extension ● Maximum operating frequency: 200 MHz ● Arm Memory Protection Unit (Arm MPU) – Protected Memory System Architecture (PMSAv8) – Secure MPU (MPU_S): 8 regions – Non-secure MPU (MPU_NS): 8 regions ● SysTick timer – Embeds

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200MHz ArmⓇ CortexⓇ-M33 内核，支持TrustZone®、以太网和 CAN FD，具有更高的集成度

瑞萨电子 RA6M5 产品群采用支持 TrustZone® 的高性能 Arm® Cortex®-M33 内核。 与片内的 安全加密引擎（SCE）  配合使用，可实现安全芯片的功能。 集成带有专用 DMA 的以太网 MAC，可确保高数据吞吐率。 RA6M5 采用高效的 40nm 工艺，由灵活配置软件包 （FSP）这一开放且灵活的生态系统提供支持，FSP 基于 FreeRTOS 构建，并能够进行扩展，使用其他实时操作系统 （RTOS) 和中间件。 RA6M5 可以满足物联网应用的需求，如以太网、面向未来应用的安全功能、大容量嵌入式 RAM 和低功耗（从闪存运行 CoreMark® 算法，低至 10 • 支持 TrustZone® 的 200MHz Arm® Cortex®-M33\n• 1MB - 2MB 闪存、448KB 支持奇偶校验的 SRAM 和 64KB ECC SRAM\n• 8KB 数据闪存，提供与 EEPROM 类似的数据存储功能\n• 带有专用 DMA 的以太网控制器\n• 高速和全速 USB 2.0\n• QuadSPI 和 OctaSPI\n• SPI/ I2C 多主接口\n• SDHI 和 MMC;

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High-performance 200 MHz Arm Cortex-M33 core, up to 2 MB code flash memory with Dual-bank, background and SWAP operation, 8 KB Data flash memory, and 512 KB SRAM with Parity/ECC.

■ Arm® Cortex®-M33 Core ● Armv8-M architecture with the main extension ● Maximum operating frequency: 200 MHz ● Arm Memory Protection Unit (Arm MPU) – Protected Memory System Architecture (PMSAv8) – Secure MPU (MPU_S): 8 regions – Non-secure MPU (MPU_NS): 8 regions ● SysTick timer – Embeds

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High-performance 200 MHz Arm Cortex-M33 core, up to 2 MB code flash memory with Dual-bank, background and SWAP operation, 8 KB Data flash memory, and 512 KB SRAM with Parity/ECC.

■ Arm® Cortex®-M33 Core ● Armv8-M architecture with the main extension ● Maximum operating frequency: 200 MHz ● Arm Memory Protection Unit (Arm MPU) – Protected Memory System Architecture (PMSAv8) – Secure MPU (MPU_S): 8 regions – Non-secure MPU (MPU_NS): 8 regions ● SysTick timer – Embeds

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