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R6535KNZ	文件：309.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6535KNZ4	文件：1.97895 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6535KNZ4；Package：TO-247G；Nch 650V 35A Power MOSFET lFeatures 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication Switching 文件：1.97895 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6535KNZ1	文件：347.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：347.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6535KNZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	高速开关规格 Nch 650V 35A 功率MOSFET R6xxxKNx系列是重视高效性，以高速开关性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在追求高速开关的应用中实现高性能。高速开关性能有助于实现PFC和LLC等电路的高效率化。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R6535KNZ1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 650V 35A 功率MOSFET R6535KNZ1是低导通电阻的高速开关速度的功率晶体管。最适合开关用途。 • Low on-resistance.\n• Ultra fast switching speed.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant.;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-3PF
包装数量：
300
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-3PF
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
650
Drain Current ID[A]：
35
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.098
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.098
Total gate charge Qg[nC]：
72
Power Dissipation (PD)[W]：
102
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
660
Mounting Style：
Leaded type
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
15.5x26.5 (t=5.7)

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更多R6535KNZ供应商更新时间2025-10-12 13:02:00

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