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R6535KNX3	文件：3.0514 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6535KNX3；Package：TO-220AB；Nch 650V 35A Power MOSFET 文件：3.0514 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6535KNX3	文件：372.53 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.12Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：372.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6535KNX3	文件：300 bytes Page：1 Pages	高速开关规格 650V 35A, TO-220AB, 功率MOSFET R6xxxKNx系列是重视高效性，以高速开关性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在追求高速开关的应用中实现更优异的性能。高速开关性能有助于实现PFC和LLC等电路的高效率化。 • Low on-resistance\n• Ultra fast switching\n• Parallel use is easy\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R6657-14	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFP	CONEXANT 上传：深圳市千科宇科技有限公司	CONEXANT

技术参数

封装：
TO-220AB
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-220AB
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
650
Drain Current ID[A]：
35
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.098
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.098
Total gate charge Qg[nC]：
72
Power Dissipation (PD)[W]：
370
Drive Voltage[V]：
10
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.16x15.35 (t=4.64)

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