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R6520KNZ	文件：309.96 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6520KNZ4	文件：2.21731 Mbytes Page：15 Pages	丝印：R6520KNZ4；Package：TO-247；Nch 650V 20A Power MOSFET Features 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching 文件：2.21731 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6520KNZ4	文件：358.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.21Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：358.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6520KNZ1	文件：421.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：421.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6520KNZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	高速开关规格 Nch 650V 20A 功率MOSFET R6xxxKNx系列是重视高效性，以高速开关性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在追求高速开关的应用中实现高性能。高速开关性能有助于实现PFC和LLC等电路的高效率化。 • Low on-resistance\n• Ultra fast switching speed\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS complian;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-3PF
包装数量：
300
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-3PF
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
650
Drain Current ID[A]：
20
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.185
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.185
Total gate charge Qg[nC]：
40
Power Dissipation (PD)[W]：
68
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
500
Mounting Style：
Leaded type
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
15.5x26.5 (t=5.7)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多R6520KNZ供应商更新时间2025-10-5 13:02:00

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