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R6520ENZ	文件：309.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6520ENZ4	文件：1.48662 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6520ENZ4；Package：TO-247G；Nch 650V 20A Power MOSFET lFeatures 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication Switching 文件：1.48662 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6520ENZ1	文件：421.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：421.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6520ENZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪声规格 Nch 650V 20A 功率MOSFET R6xxxENx系列是重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在音响和照明等需要尽可能抑制噪声的应用中实现高性能。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-3PF
包装数量：
300
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-3PF
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
650
Drain Current ID[A]：
20
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.185
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.185
Total gate charge Qg[nC]：
61
Power Dissipation (PD)[W]：
68
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
500
Mounting Style：
Leaded type
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
15.5x26.5 (t=5.7)

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更多R6520ENZ供应商更新时间2025-10-10 16:53:00

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