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R6076MNZ1	文件：358.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 76A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 55mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：358.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6076MNZ1	文件：2.21149 Mbytes Page：14 Pages	丝印：C9；Package：TO-247；Nch 600V 76A Power MOSFET 文件：2.21149 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6076MNZ1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 76A 功率MOSFET 指制造中止，不可购买的产品。 · Fast reverse recovery time (trr).\n · Low on-resistance.\n · Fast switching speed.\n · Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.\n · Drive circuits can be simple.\n · Pb-free lead plating; RoHS compliant.;	ROHM 罗姆	ROHM
R61505W0F5QV	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂原装	RENESAS 瑞萨上传：深圳市赛尔通科技有限公司	RENESAS
R61529A1FKQ	文件：0 bytes Page：0 Pages	COG	RENESAS/瑞萨上传：深圳市中飞凌科技有限公司	RENESAS/瑞萨

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TO-247
包装数量：
450
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-247AD
Package Size[mm]：
21.07x15.94 (t=5.02)
Applications：
Motor
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
76.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.04
Total gate charge Qg[nC]：
115.0
Power Dissipation (PD)[W]：
740.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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