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R6046FNZ	文件：343.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 46A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 93mΩ(Max)@VGS= 15V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：343.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6046FNZ	文件：1.17908 Mbytes Page：7 Pages	10V Drive Nch MOSFET 文件：1.17908 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6046FNZ1	文件：359.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 46A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 98mΩ(Max)@VGS= 15V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：359.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6046FNZ1	文件：930.07 Kbytes Page：14 Pages	Nch 600V 46A Power MOSFET 文件：930.07 Kbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6046FNZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
R6046FNZ1	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V驱动型 Nch MOSFET 1) Low on-resistance.\n2) Fast switching speed.\n3) Gate-source voltage(VGSS)guaranteed to be ±30V.\n4) Drive circuits can be simple.\n5) Parallel use is easy.\n6) Pb-free lead plating; RoHS compliant.;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TO-3PF
包装数量：
360
最小独立包装数量：
360
包装形态：
Bulk
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-3PF
Package Size[mm]：
26.5x15.5 (t=5.5)
Applications：
Motor
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
46.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.075
Total gate charge Qg[nC]：
150.0
Power Dissipation (PD)[W]：
120.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Trr (Typ.)[ns]：
145
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多R6046FNZ供应商更新时间2026-2-2 14:04:00

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