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R6046ANZ	文件：1.1642 Mbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 3) High ESD. Application Switching Structure Silicon N-channel MOSFET 文件：1.1642 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6046ANZ	文件：344.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 46A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 81mΩ(Max)@VGS= 15V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：344.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6046ANZ1	文件：359.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 46A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 90mΩ(Max)@VGS= 15V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：359.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6046ANZ1	文件：905.33 Kbytes Page：14 Pages	Nch 600V 46A Power MOSFET Features 5) Parallel use is easy. 1) Low on-resistance. 4) Drive circuits can be simple. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant Application Switching Power Supply 文件：905.33 Kbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6046ANZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TO-3PF
包装数量：
360
最小独立包装数量：
360
包装形态：
Bulk
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-3PF
Package Size[mm]：
26.5x15.5 (t=5.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
46.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.065
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.065
Total gate charge Qg[nC]：
150.0
Power Dissipation (PD)[W]：
120.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	R6046ANZ	ROHM/罗姆	25+	TO-3PF	32360	ROHM/罗姆全新特价R6046ANZ即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多R6046ANZ供应商更新时间2026-1-26 20:25:00

技术参数

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