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R6030JNZ4	文件：2.38971 Mbytes Page：15 Pages	丝印：R6030JNZ4；Package：TO-247G；Nch 600V 30A Power MOSFET 文件：2.38971 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6030JNZ4	文件：359.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：359.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6030JNZ4	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 30A 功率MOSFET R6030JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. • Fast reverse recovery time (trr)\n• Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R61505W0F5QV	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂原装	RENESAS 瑞萨上传：深圳市赛尔通科技有限公司	RENESAS
R61529A1FKQ	文件：0 bytes Page：0 Pages	COG	RENESAS/瑞萨上传：深圳市中飞凌科技有限公司	RENESAS/瑞萨

技术参数

封装：
TO-247
包装数量：
600
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-247AD
Applications：
Motor
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
30
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)：
0.11
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.11
Total gate charge Qg[nC]：
74
Power Dissipation (PD)[W]：
370
Drive Voltage[V]：
15
Trr (Typ.)[ns]：
100
Mounting Style：
Leaded type
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
15.94x20.95 (t=5.22)

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